DMC1017UPD-13
制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 12V 13A（Ta），9.4A（Ta） 2.3W 表面贴装型 PowerDI5060-8
物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | N 和 P 沟道互补型 |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A（Ta），9.4A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V，32 毫欧 @ 8.9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18.6nC @ 4.5V，23.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1787pF @ 6V，2100pF @ 6V |
| 功率 - 最大值: | 2.3W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级: | 汽车级 |
| 资质: | AEC-Q101 |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | PowerDI5060-8 |